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APTM100UM65SAG Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 1000V 145A SP6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 20mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 78 mOhm @ 72.5A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 28500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 145A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package SP6
Power Dissipation (Max) 3250W (Tc)
Package / Case SP6
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1068nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
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