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APTM10DHM09T3G Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA
Series POWER MOS V®
Power - Max 390W
Package / Case SP3
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 350nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 139A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SP3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 69.5A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9875pF @ 25V
FET Type 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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