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APTM50SKM35TG Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 500V 99A SP4

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 5mA
Supplier Device Package SP4
Power Dissipation (Max) 781W (Tc)
Package / Case SP4
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 280nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 99A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39 mOhm @ 49.5A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 14000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
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