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JAN1N5552US Technische Spezifikationen

DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Einzeln
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 9A
Supplier Device Package D-5B
Series Military, MIL-PRF-19500/420
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 3A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 2µs
Package / Case SQ-MELF, B
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 1µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F -
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
JAN1N1124 Microsemi Spezialisierte heiße ICs 2723
JAN1N1124A IR Spezialisierte heiße ICs 1452
JAN1N1125AR IR Spezialisierte heiße ICs 2992
JAN1N1127AR IR Spezialisierte heiße ICs 2804
JAN1N1183 MOTOROLA Spezialisierte heiße ICs 2945
JAN1N1183A MOTOROLA Spezialisierte heiße ICs 2712
JAN1N1183AR MOTOROLA Spezialisierte heiße ICs 2927
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