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JAN1N5615 Technische Spezifikationen

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Einzeln
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.6V @ 3A
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 150ns
Package / Case A, Axial
Mounting Type Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr 500nA @ 200V
Capacitance @ Vr, F -
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 200V
Series Military, MIL-PRF-19500/429
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 1A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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JAN1N1124A IR Spezialisierte heiße ICs 1452
JAN1N1125AR IR Spezialisierte heiße ICs 2992
JAN1N1127AR IR Spezialisierte heiße ICs 2804
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JAN1N1183A MOTOROLA Spezialisierte heiße ICs 2712
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