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JAN1N5809 Technische Spezifikationen

DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Einzeln
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 875mV @ 4A
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 30ns
Package / Case B, Axial
Mounting Type Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr 5µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F 60pF @ 10V, 1MHz
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Series Military, MIL-PRF-19500/477
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 6A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
JAN1N1124 Microsemi Spezialisierte heiße ICs 2723
JAN1N1124A IR Spezialisierte heiße ICs 1452
JAN1N1125AR IR Spezialisierte heiße ICs 2992
JAN1N1127AR IR Spezialisierte heiße ICs 2804
JAN1N1183 MOTOROLA Spezialisierte heiße ICs 2945
JAN1N1183A MOTOROLA Spezialisierte heiße ICs 2712
JAN1N1183AR MOTOROLA Spezialisierte heiße ICs 2927
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