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JAN1N6639US Technische Spezifikationen

DIODE GEN PURP 75V 300MA B-MELF

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Einzeln
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 300mA
Supplier Device Package D-5B
Series Military, MIL-PRF-19500/609
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 300mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 75V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 4ns
Package / Case SQ-MELF, B
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 100nA @ 75V
Capacitance @ Vr, F -
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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JAN1N1124A IR Spezialisierte heiße ICs 1452
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