JAN2N3749 Technische Spezifikationen

TRANS NPN 80V 5A TO111

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Transistor Type NPN
Series Military, MIL-PRF-19500/315
Packaging Bulk
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 20µA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 500mA, 5A
Supplier Device Package TO-111
Power - Max 2W
Package / Case TO-111-4, Stud
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 1A, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 5A
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JAN2N1016B Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2654
JAN2N1016C Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2542
JAN2N1016D Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2714
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