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JAN2N5014S Technische Spezifikationen

NPN TRANSISTOR

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V
Supplier Device Package TO-39 (TO-205AD)
RoHS Status RoHS non-compliant
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type Through Hole
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 900V 200mA 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Series Military, MIL-PRF-19500/727
Power - Max 1W
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 20mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
JAN2N1016B Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2654
JAN2N1016C Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2542
JAN2N1016D Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2714
JAN2N1171A ST Spezialisierte heiße ICs 2815
JAN2N1172A ST Spezialisierte heiße ICs 2756
JAN2N1173A ST Spezialisierte heiße ICs 2936
JAN2N1174A ST Spezialisierte heiße ICs 2812
JAN2N1175A ST Spezialisierte heiße ICs 2854
JAN2N1176A ST Spezialisierte heiße ICs 2834
JAN2N1177A ST Spezialisierte heiße ICs 2909

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