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JAN2N6385 Technische Spezifikationen

TRANS NPN DARL 80V 10A TO3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Transistor Type NPN - Darlington
Series Military, MIL-PRF-19500/523
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 100mA, 10A
Supplier Device Package TO-204AA (TO-3)
Power - Max 6W
Package / Case TO-204AA, TO-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 5A, 3V
Current - Collector (Ic) (Max) 10A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
JAN2N1016B Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2654
JAN2N1016C Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2542
JAN2N1016D Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2714
JAN2N1171A ST Spezialisierte heiße ICs 2815
JAN2N1172A ST Spezialisierte heiße ICs 2756
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JAN2N1177A ST Spezialisierte heiße ICs 2909

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