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JAN2N6766 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH TO-204AE TO-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Military, MIL-PRF-19500/543
Power Dissipation (Max) 4W (Ta), 150W (Tc)
Package / Case TO-204AE
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
JAN2N1016B Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2654
JAN2N1016C Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2542
JAN2N1016D Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2714
JAN2N1171A ST Spezialisierte heiße ICs 2815
JAN2N1172A ST Spezialisierte heiße ICs 2756
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