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JANS2N2857UB-LC Technische Spezifikationen

TRANS NPN 15V TH

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V
Supplier Device Package UB
Power - Max 200mW
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Gain 21dB
Detailed Description RF Transistor NPN 15V 40mA 200mW Surface Mount UB
Current - Collector (Ic) (Max) 40mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Series Military, MIL-PRF-19500/343
Package / Case 3-SMD, No Lead
Noise Figure (dB Typ @ f) 4.5dB @ 450MHz
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 3mA, 1V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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JANS2N2222A Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2741
JANS2N2222AUB Microsemi Spezialisierte heiße ICs 1109
JANS2N2222AUBC Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2749
JANS2N2369AUB Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2658
JANS2N2369AUB Microsemi Corporation Einzelne BJT-Transistoren
JANS2N2369AUBC Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2544
JANS2N2484UB Microsemi Spezialisierte heiße ICs 895
JANS2N2857UB-LC Microsemi Corporation RF-BJT-Transistoren
JANS2N2907A Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2788

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