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JANSF2N2222A Technische Spezifikationen

SMALL-SIGNAL BJT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN
Series Military, MIL-PRF-19500/255
Power - Max 500mW
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 33 Weeks
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-18
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package TO-18
RoHS Status RoHS non-compliant
Package / Case TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type Through Hole
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 800mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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JANSF2N2222AL Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 0
JANSF2N2222AUA Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 0
JANSF2N2484 Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 0
JANSF2N7383 Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2500
JANSF2N7422 IR Spezialisierte heiße ICs 1417
JANSF2N7550U2 SMD Spezialisierte heiße ICs 29

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