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JANTX1N6630US Technische Spezifikationen

DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Einzeln
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 1.4A
Supplier Device Package D-5B
Series Military, MIL-PRF-19500/590
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 150°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 1.4A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 900V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 50ns
Package / Case SQ-MELF, E
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 2µA @ 900V
Capacitance @ Vr, F -
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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