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JANTXV1N5807URS Technische Spezifikationen

DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Einzeln
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 875mV @ 4A
Supplier Device Package B, SQ-MELF
Series Military, MIL-PRF-19500/477
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 3A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 50V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 30ns
Package / Case SQ-MELF, B
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 5µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F 60pF @ 10V, 1MHz
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
JANTX1N1184 Microsemi Spezialisierte heiße ICs 2204
JANTX1N1184R Microsemi Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2609
JANTX1N1185R IR Spezialisierte heiße ICs 2812
JANTX1N1186 Microsemi Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2657
JANTX1N1186R Microsemi Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2505
JANTX1N1188R Microsemi Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2513
JANTX1N1189R IR Spezialisierte heiße ICs 2700
JANTX1N1190 Microsemi Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2683
JANTX1N1190R Microsemi Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2681
JANTX1N1191R IR Spezialisierte heiße ICs 2862

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