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JANTXV2N2920U Technische Spezifikationen

TRANS 2NPN 60V 0.03A

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Series Military, MIL-PRF-19500/355
Packaging Bulk
Operating Temperature 200°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 100µA, 1mA
Supplier Device Package 6-SMD
Power - Max 350mW
Package / Case 6-SMD, No Lead
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 30mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
JANTX1N1184 Microsemi Spezialisierte heiße ICs 2204
JANTX1N1184R Microsemi Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2609
JANTX1N1185R IR Spezialisierte heiße ICs 2812
JANTX1N1186 Microsemi Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2657
JANTX1N1186R Microsemi Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2505
JANTX1N1188R Microsemi Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2513
JANTX1N1189R IR Spezialisierte heiße ICs 2700
JANTX1N1190 Microsemi Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2683
JANTX1N1190R Microsemi Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2681
JANTX1N1191R IR Spezialisierte heiße ICs 2862

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