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JANTXV2N3637 Technische Spezifikationen
TRANS PNP 175V 1A TO-39
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 175V |
Transistor Type | PNP |
Series | Military, MIL-PRF-19500/357 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
Supplier Device Package | TO-39 |
Power - Max | 1W |
Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
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Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
JANTX1N1184 | Microsemi | Spezialisierte heiße ICs | 2204 |
JANTX1N1184R | Microsemi | Dioden - Gleichrichter - Einzeln | 2609 |
JANTX1N1185R | IR | Spezialisierte heiße ICs | 2812 |
JANTX1N1186 | Microsemi | Dioden - Gleichrichter - Einzeln | 2657 |
JANTX1N1186R | Microsemi | Dioden - Gleichrichter - Einzeln | 2505 |
JANTX1N1188R | Microsemi | Dioden - Gleichrichter - Einzeln | 2513 |
JANTX1N1189R | IR | Spezialisierte heiße ICs | 2700 |
JANTX1N1190 | Microsemi | Dioden - Gleichrichter - Einzeln | 2683 |
JANTX1N1190R | Microsemi | Dioden - Gleichrichter - Einzeln | 2681 |
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JANTXV2N3637 Markenhersteller: Microsemi, Bonchip Aktie, JANTXV2N3637 Referenzpreis. JANTXV2N3637 Parameter, JANTXV2N3637 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden JANTXV2N3637 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden JANTXV2N3637 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, JANTXV2N3637 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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