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JANTXV2N5014 Technische Spezifikationen

NPN TRANSISTOR

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V
Supplier Device Package TO-5
RoHS Status RoHS non-compliant
Package / Case TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type Through Hole
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 900V 200mA 1W Through Hole TO-5
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Series Military, MIL-PRF-19500/727
Power - Max 1W
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 20mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
JANTX1N1184 Microsemi Spezialisierte heiße ICs 2204
JANTX1N1184R Microsemi Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2609
JANTX1N1185R IR Spezialisierte heiße ICs 2812
JANTX1N1186 Microsemi Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2657
JANTX1N1186R Microsemi Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2505
JANTX1N1188R Microsemi Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2513
JANTX1N1189R IR Spezialisierte heiße ICs 2700
JANTX1N1190 Microsemi Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2683
JANTX1N1190R Microsemi Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2681
JANTX1N1191R IR Spezialisierte heiße ICs 2862

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