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JANTXV2N6800 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-205AF (TO-39)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1 Ohm @ 3A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 400V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Military, MIL-PRF-19500/557
Power Dissipation (Max) 800mW (Ta), 25W (Tc)
Package / Case TO-205AF Metal Can
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34.75nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
JANTX1N1184 Microsemi Spezialisierte heiße ICs 2204
JANTX1N1184R Microsemi Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2609
JANTX1N1185R IR Spezialisierte heiße ICs 2812
JANTX1N1186 Microsemi Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2657
JANTX1N1186R Microsemi Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2505
JANTX1N1188R Microsemi Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2513
JANTX1N1189R IR Spezialisierte heiße ICs 2700
JANTX1N1190 Microsemi Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2683
JANTX1N1190R Microsemi Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2681
JANTX1N1191R IR Spezialisierte heiße ICs 2862

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