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TAN150 Technische Spezifikationen

TRANS RF BIPO 583W 15A 55AT1

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 55V
Supplier Device Package 55AT
Packaging Bulk
Operating Temperature 200°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Frequency - Transition 960MHz ~ 1.215GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 15A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 583W
Package / Case 55AT
Noise Figure (dB Typ @ f) -
Gain 7dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 1A, 5V
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