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1N5554US Technische Spezifikationen
DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Einzeln |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 9A |
Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
Reverse Recovery Time (trr) | 2µs |
Package / Case | SQ-MELF, B |
Mounting Type | Surface Mount |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 1µA @ 1000V |
Capacitance @ Vr, F | - |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V (1kV) |
Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
Diode Type | Standard |
Current - Average Rectified (Io) | 3A |
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Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
1N5550 | Microsemi | Dioden - Gleichrichter - Einzeln | 2776 |
1N5550 | Microsemi Corporation | Einphasen-Diodengleichrichter | |
1N5550C.TR | Semtech | Dioden - Gleichrichter - Einzeln | 0 |
1N5550US | Microsemi | Dioden - Gleichrichter - Einzeln | 2633 |
1N5551 | Microsemi | Dioden - Gleichrichter - Einzeln | 2628 |
1N5551 | Semtech | Dioden - Gleichrichter - Einzeln | 751 |
1N5551 | Microsemi Corporation | Einphasen-Diodengleichrichter | |
1N5551C.TR | Semtech | Dioden - Gleichrichter - Einzeln | 2619 |
1N5551US | Semtech | Dioden - Gleichrichter - Einzeln | 2668 |
1N5551US | Microsemi | Dioden - Gleichrichter - Einzeln | 2533 |
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1N5554US Markenhersteller: Microsemi, Bonchip Aktie, 1N5554US Referenzpreis. 1N5554US Parameter, 1N5554US Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden 1N5554US Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden 1N5554US Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, 1N5554US Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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