2N3585 PBFREE Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer Central Semiconductor Corp
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 22 Weeks
Package / Case TO-213AA, TO-66-2
Packaging Tube
Part Status Active
Terminal Finish MATTE TIN OVER NICKEL
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Type NPN
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V
Frequency - Transition 10MHz
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C~200°C TJ
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Power - Max 35W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 1A 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 750mV @ 125mA, 1A
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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2N3583 Central Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2782
2N3583 PBFREE Central Semiconductor Corp Einzelne BJT-Transistoren
2N3584 Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2662
2N3584 Central Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2609
2N3584 Microsemi Corporation Einzelne BJT-Transistoren
2N3584 PBFREE Central Semiconductor Corp Einzelne BJT-Transistoren
2N3585 Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 280
2N3585 Central Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2658
2N3585 Microsemi Corporation Einzelne BJT-Transistoren

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