2N5088 PBFREE Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer Central Semiconductor Corp
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging Bulk
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Transistor Type NPN
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA ICBO
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Frequency - Transition 50MHz
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Part Status Active
Power - Max 625mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 100μA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
2N508 HGF Spezialisierte heiße ICs 50000
2N5086 Central Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 18582
2N5086 MOTO Spezialisierte heiße ICs 18582
2N5086BU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2707
2N5086BU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2684
2N5086BU Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren
2N5086TA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2740
2N5086TA Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2583
2N5086TAR AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2574
2N5086TAR Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2512

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