2N5179 PBFREE Technische Spezifikationen

RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO72

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / RF-BJT-Transistoren
Manufacturer Central Semiconductor Corp
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 24 Weeks
Package / Case TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
Part Status Active
Number of Terminations 4
Subcategory Other Transistors
Terminal Form WIRE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power - Max 200mW
Polarity/Channel Type NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 3mA 1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
Transition Frequency 900MHz
Power Dissipation-Max (Abs) 0.3W
Highest Frequency Band ULTRA HIGH FREQUENCY B
Noise Figure (dB Typ @ f) 4.5dB @ 200MHz
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -65°C~200°C TJ
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Terminal Position BOTTOM
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code O-MBCY-W4
Configuration SINGLE
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Type NPN
Gain 15dB
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
Frequency - Transition 2GHz
VCEsat-Max 0.4 V
Collector-Base Capacitance-Max 1pF
RoHS Status ROHS3 Compliant
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2N5172 Central Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 50243
2N5172_D26Z AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2612
2N5172_D26Z Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2795
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