2SC6099-E Technische Spezifikationen

TRANS NPN 100V 2A TP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type NPN
Power - Max 800mW
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 100mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 165mV @ 100mA, 1A
Supplier Device Package TP
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 300MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
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