ALD110900PAL Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Advanced Linear Devices, Inc.
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 20mV @ 1µA
Series EPAD®, Zero Threshold™
Power - Max 500mW
Package / Case 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C -
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-PDIP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 Ohm @ 4V
Packaging Tube
Operating Temperature 0°C ~ 70°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V
FET Type 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Drain to Source Voltage (Vdss) 10.6V
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