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APTC90H12T2G Technische Spezifikationen

MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 3mA
Series CoolMOS™
Power - Max 250W
Package / Case SP2
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270nC @ 10V
FET Feature Super Junction
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SP2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 26A, 10V
Packaging Tray
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6800pF @ 100V
FET Type 4 N-Channel (H-Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
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