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APTGF660U60D4G Technische Spezifikationen
IGBT 600V 860A 2800W D4
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Supplier Device Package | D4 |
Package / Case | D4 |
NTC Thermistor | No |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 36nF @ 25V |
IGBT Type | NPT |
Current - Collector (Ic) (Max) | 860A |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 800A |
Power - Max | 2800W |
Operating Temperature | - |
Mounting Type | Chassis Mount |
Input | Standard |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500µA |
Configuration | Single |
APTGF660U60D4G Unterlagen
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Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
APTGF100A1202G | Microsemi | Transistoren - IGBTs - Module | 2556 |
APTGF100A1202G | Microsemi Corporation | IGBT-Module | |
APTGF100A120D1G | IGBT Module | IGBT-Module | 2960 |
APTGF100A120T3AG | Microsemi | Transistoren - IGBTs - Module | 2725 |
APTGF100A120T3AG | Microsemi Corporation | IGBT-Module | |
APTGF100A120T3WG | Microsemi | Transistoren - IGBTs - Module | 2747 |
APTGF100A120T3WG | Microsemi Corporation | IGBT-Module | |
APTGF100A120TG | Microsemi | Transistoren - IGBTs - Module | 2718 |
APTGF100A120TG | Microsemi Corporation | IGBT-Module | |
APTGF100DA120T1G | Microsemi | Transistoren - IGBTs - Module | 2784 |
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APTGF660U60D4G Markenhersteller: Microsemi, Bonchip Aktie, APTGF660U60D4G Referenzpreis. APTGF660U60D4G Parameter, APTGF660U60D4G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden APTGF660U60D4G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden APTGF660U60D4G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, APTGF660U60D4G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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