APTGF660U60D4G Technische Spezifikationen

IGBT 600V 860A 2800W D4

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Supplier Device Package D4
Package / Case D4
NTC Thermistor No
Input Capacitance (Cies) @ Vce 36nF @ 25V
IGBT Type NPT
Current - Collector (Ic) (Max) 860A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 800A
Power - Max 2800W
Operating Temperature -
Mounting Type Chassis Mount
Input Standard
Current - Collector Cutoff (Max) 500µA
Configuration Single
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