APTGLQ200H65G Technische Spezifikationen

POWER MODULE - IGBT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Supplier Device Package SP6
Package / Case Module
NTC Thermistor No
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Input Standard
Detailed Description IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 650V 270A 680W Chassis Mount SP6
Current - Collector (Ic) (Max) 270A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 200A
Power - Max 680W
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Input Capacitance (Cies) @ Vce 12.2nF @ 25V
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Cutoff (Max) 75µA
Configuration Full Bridge
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