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APTGT200TL60G Technische Spezifikationen
POWER MODULE IGBT 600V 200A SP6
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Supplier Device Package | SP6 |
Package / Case | SP6 |
NTC Thermistor | No |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 12.2nF @ 25V |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Current - Collector (Ic) (Max) | 300A |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 200A |
Power - Max | 652W |
Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Chassis Mount |
Input | Standard |
Current - Collector Cutoff (Max) | 350µA |
Configuration | Three Level Inverter |
APTGT200TL60G Unterlagen
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Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
APTGT100A1202G | Microsemi | Transistoren - IGBTs - Module | 2741 |
APTGT100A1202G | Microsemi Corporation | IGBT-Module | |
APTGT100A120D1G | Microsemi | Transistoren - IGBTs - Module | 2761 |
APTGT100A120D1G | Microsemi Corporation | IGBT-Module | |
APTGT100A120T3AG | Microsemi | Transistoren - IGBTs - Module | 2517 |
APTGT100A120T3AG | Microsemi Corporation | IGBT-Module | |
APTGT100A120TG | Microsemi | Transistoren - IGBTs - Module | 2709 |
APTGT100A120TG | Microsemi Corporation | IGBT-Module | |
APTGT100A170D1G | Microsemi | Transistoren - IGBTs - Module | 2779 |
APTGT100A170D1G | Microsemi Corporation | IGBT-Module |
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APTGT200TL60G Markenhersteller: Microsemi, Bonchip Aktie, APTGT200TL60G Referenzpreis. APTGT200TL60G Parameter, APTGT200TL60G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden APTGT200TL60G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden APTGT200TL60G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, APTGT200TL60G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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