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APTGT35X120T3G Technische Spezifikationen
IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Supplier Device Package | SP3 |
Package / Case | SP3 |
NTC Thermistor | Yes |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 2.5nF @ 25V |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Current - Collector (Ic) (Max) | 55A |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 35A |
Power - Max | 208W |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Chassis Mount |
Input | Standard |
Current - Collector Cutoff (Max) | 250µA |
Configuration | Three Phase Inverter |
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Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
APTGT100A1202G | Microsemi | Transistoren - IGBTs - Module | 2741 |
APTGT100A1202G | Microsemi Corporation | IGBT-Module | |
APTGT100A120D1G | Microsemi | Transistoren - IGBTs - Module | 2761 |
APTGT100A120D1G | Microsemi Corporation | IGBT-Module | |
APTGT100A120T3AG | Microsemi | Transistoren - IGBTs - Module | 2517 |
APTGT100A120T3AG | Microsemi Corporation | IGBT-Module | |
APTGT100A120TG | Microsemi | Transistoren - IGBTs - Module | 2709 |
APTGT100A120TG | Microsemi Corporation | IGBT-Module | |
APTGT100A170D1G | Microsemi | Transistoren - IGBTs - Module | 2779 |
APTGT100A170D1G | Microsemi Corporation | IGBT-Module |
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APTGT35X120T3G Markenhersteller: Microsemi, Bonchip Aktie, APTGT35X120T3G Referenzpreis. APTGT35X120T3G Parameter, APTGT35X120T3G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden APTGT35X120T3G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden APTGT35X120T3G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, APTGT35X120T3G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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