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APTM100A23SCTG Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270 mOhm @ 18A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8700pF @ 25V
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SP4
Power - Max 694W
Package / Case SP4
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 308nC @ 10V
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 36A
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