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APTM100TA35FPG Technische Spezifikationen

MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420 mOhm @ 11A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5200pF @ 25V
FET Type 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SP6-P
Power - Max 390W
Package / Case SP6
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 186nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A
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