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APTM100UM45FAG Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 1000V 215A SP6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 30mA
Supplier Device Package SP6
Power Dissipation (Max) 5000W (Tc)
Package / Case SP6
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1602nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 215A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52 mOhm @ 107.5A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 42700pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
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