BYV25FB-600,118 Technische Spezifikationen

DIODE GEN PURP 600V 5A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Einzeln
Manufacturer WeEn Semiconductors Co., Ltd
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Peak Reverse (Max) Standard
Voltage - Breakdown D2PAK
Reverse Recovery Time (trr) Fast Recovery = 200mA (Io)
Polarization TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature - Junction 35ns
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Manufacturer Part Number BYV25FB-600,118
Diode Configuration 50µA @ 600V
Current - Reverse Leakage @ Vr 1.9V @ 5A
Capacitance @ Vr, F 150°C (Max)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 5A
RoHS Status Tape & Reel (TR)
Resistance @ If, F -
Other Names 934064721118 BYV25FB-600118
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 12 Weeks
Expanded Description Diode Standard 600V 5A Surface Mount D2PAK
Description DIODE GEN PURP 600V 5A D2PAK
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 600V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
BYV25-600P NXP Spezialisierte heiße ICs 2626
BYV255V-200 STMicroelectronics Dioden - Gleichrichter - Arrays 2926
BYV255V100 ST IGBT-Module 2709
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BYV255V400 ST IGBT-Module 2770
BYV255V50 ST IGBT-Module 2783
BYV255V600 ST IGBT-Module 2682
BYV255V700 ST IGBT-Module 2594

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