CSD17308Q3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 47A 8SON

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer N/A
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series NexFET™
Power Dissipation (Max) 2.7W (Ta)
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.1nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +10V, -8V
Supplier Device Package 8-VSON (3.3x3.3)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.3 mOhm @ 10A, 8V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta), 44A (Tc)
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CSD17301Q5A N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5386
CSD17301Q5A MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 1221
CSD17302Q5A N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 27064
CSD17302Q5A IC TI Spezialisierte heiße ICs 986
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