CSD18532NQ5B Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 22A 8VSON

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer N/A
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series NexFET™
Power Dissipation (Max) 3.2W (Ta)
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-VSON (5x6)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5340pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Ta), 100A (Tc)
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CSD18501Q5A IC TI Spezialisierte heiße ICs 2364
CSD18501Q5AT TI Spezialisierte heiße ICs 2926
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