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CSD19536KCS Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V TO-220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer N/A
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series NexFET™
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 153nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7 mOhm @ 100A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12000pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 150A (Ta)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
CSD19501KCS N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3324
CSD19502Q5B N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5391
CSD19502Q5BT N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3834
CSD19503KCS N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 535
CSD19505KCS N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 27543
CSD19505KTT N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2706
CSD19505KTTT N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2503
CSD19506KCS N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5208
CSD19506KTT N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 4196
CSD19506KTTT N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1084

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