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CSD23202W10T Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer N/A
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series NexFET™
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Package / Case 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.8nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) -6V
Supplier Device Package 4-DSBGA (1x1)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 53 mOhm @ 500mA, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 512pF @ 6V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.2A (Ta)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
CSD23201W10 N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 91640
CSD23202W10 N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1454
CSD23203W N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 21782
CSD23203WT N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2712
CSD23280F3 N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2778
CSD23280F3 IC TI Spezialisierte heiße ICs 27464
CSD23280F3T N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2706
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CSD2328F3 TI Spezialisierte heiße ICs 6402

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