CSD75207W15 Technische Spezifikationen

MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer N/A
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Series NexFET™
Power - Max 700mW
Package / Case 9-UFBGA, DSBGA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.7nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.9A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 9-DSBGA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 162 mOhm @ 1A, 1.8V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 595pF @ 10V
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) -
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
CSD75203W1015 TI Spezialisierte heiße ICs 1041
CSD75204W15 N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2568
CSD75204W15 Rochester Electronics, LLC MOSFETs Transistor Arrays
CSD75205W1015 N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 1476
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