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CSD87335Q3DT Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 30V 25A

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer N/A
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA
Series NexFET™
Power - Max 6W
Package / Case 8-PowerLDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 4.5V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-LSON (3.3x3.3)
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1050pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
CSD87312Q3E N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2448
CSD87313DMS N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 30478
CSD87313DMST N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 4491
CSD87330Q3D N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 5334
CSD87331Q3D N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 12972
CSD87333Q3D N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 3931
CSD87333Q3D IC TI Spezialisierte heiße ICs 2642
CSD87333Q3D MOS TI Spezialisierte heiße ICs 2530
CSD87333Q3DT N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 4503
CSD87334D TI Spezialisierte heiße ICs 624

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