CSD88539NDT Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer N/A
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA
Series NexFET™
Power - Max 2.1W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.4nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 741pF @ 30V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
CSD88537ND N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 30272
CSD88537ND MOS TI Spezialisierte heiße ICs 551
CSD88537NDT N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 4525
CSD88539ND N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 10320
CSD88584Q5DC N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2630
CSD88584Q5DCT N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 4264
CSD88599Q5DC N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2785
CSD88599Q5DCT N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 4192

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