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FJY3012R Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT523F

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 200mW
Package / Case SC-89, SOT-490
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Supplier Device Package SOT-523F
Resistor - Base (R1) (Ohms) 47k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FJY3001R AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 45000
FJY3001R Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 45000
FJY3001R Rochester Electronics, LLC Vorbelastete BJT-Transistoren
FJY3001R ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
FJY3002 Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 6440
FJY3002R AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 153105
FJY3002R Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 25468
FJY3002R ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
FJY3002R IC Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 3275
FJY3003R AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 30000

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