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IGN1011L1200 Technische Spezifikationen

GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / RF-MOSFET-Transistoren
Manufacturer Integra Technologies Inc.
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Transistor Element Material GALLIUM NITRIDE
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Position DUAL
JESD-30 Code R-CDFM-F2
Number of Elements 1
Operating Mode DEPLETION MODE
Transistor Application AMPLIFIER
DS Breakdown Voltage-Min 180V
Highest Frequency Band L B
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Surface Mount YES
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Form FLAT
Operating Temperature (Min) -55°C
Configuration SINGLE
Case Connection SOURCE
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
FET Technology HIGH ELECTRON MOBILITY
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IGN1011L1200 Markenhersteller: Integra Technologies Inc., Bonchip Aktie, IGN1011L1200 Referenzpreis. IGN1011L1200 Parameter, IGN1011L1200 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IGN1011L1200 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IGN1011L1200 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IGN1011L1200 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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