IPB081N06L3G MOS Technische Spezifikationen

VBSEMI PG-TO263-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Integrierte Schaltkreise (ICs) / Spezialisierte heiße ICs
Manufacturer VBSEMI
Factory Lead Time 3 Weeks
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IPB080N03L G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 23545
IPB080N03LG VB Spezialisierte heiße ICs 3263
IPB080N03LG MOS International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 619
IPB080N03LGATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2769
IPB080N03LGATMA1 Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IPB080N06LG INF Spezialisierte heiße ICs 25000
IPB080N06N G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 18898
IPB080N06NG VB Spezialisierte heiße ICs 50863
IPB081N06L3 G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 23020
IPB081N06L3G INF Spezialisierte heiße ICs 792

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IPB081N06L3G MOS Markenhersteller: VBSEMI, Bonchip Aktie, IPB081N06L3G MOS Referenzpreis. IPB081N06L3G MOS Parameter, IPB081N06L3G MOS Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IPB081N06L3G MOS Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IPB081N06L3G MOS Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IPB081N06L3G MOS Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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