IXGP48N60B3 Technische Spezifikationen

DISC IGBT PT-MID FREQUENCY TO-22

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer IXYS
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 1 Weeks
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Series GenX3™
Pbfree Code yes
Number of Terminations 3
Additional Feature LOW CONDUCTION LOSS
Terminal Position SINGLE
Reach Compliance Code compliant
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Reverse Recovery Time 25ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Power Dissipation-Max (Abs) 300W
Test Condition 480V, 30A, 5 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 347 ns
Gate Charge 115nC
Td (on/off) @ 25°C 22ns/130ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Fall Time-Max (tf) 200ns
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Power - Max 300W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
JEDEC-95 Code TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max) 48A
Turn On Time 44 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 32A
IGBT Type PT
Current - Collector Pulsed (Icm) 280A
Switching Energy 840μJ (on), 660μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 5V
RoHS Status RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IXGP42N30C3 IXYS Corporation Transistoren - IGBTs - Einzel 2683
IXGP42N30C3 IXYS Einzelne IGBTs
IXGP44N40TBD1 IXYS Corporation Spezialisierte heiße ICs 74
IXGP44N43JC IXYS Spezialisierte heiße ICs 522
IXGP48N60A3 IXYS Corporation Spezialisierte heiße ICs 640
IXGP48N60A3 IXYS Einzelne IGBTs
IXGP48N60C3 IXYS Corporation Transistoren - IGBTs - Einzel 2625
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