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JAN2N1486 Technische Spezifikationen

TRANS NPN 55V 3A

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 55V
Transistor Type NPN
Series Military, MIL-PRF-19500/207
Packaging Bulk
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 15µA (ICBO)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 750mV @ 40mA, 750mA
Supplier Device Package TO-8
Power - Max 1.75W
Package / Case TO-233AA, TO-8-3 Lens Top Metal Can
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 750mA, 4V
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
JAN2N1016B Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2654
JAN2N1016C Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2542
JAN2N1016D Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2714
JAN2N1171A ST Spezialisierte heiße ICs 2815
JAN2N1172A ST Spezialisierte heiße ICs 2756
JAN2N1173A ST Spezialisierte heiße ICs 2936
JAN2N1174A ST Spezialisierte heiße ICs 2812
JAN2N1175A ST Spezialisierte heiße ICs 2854
JAN2N1176A ST Spezialisierte heiße ICs 2834
JAN2N1177A ST Spezialisierte heiße ICs 2909

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