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JAN2N2323AS Technische Spezifikationen

DIODE SILICON CTRL TO39

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Thyristoren - SCRs
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Off State 50V
Supplier Device Package TO-39 (TO-205AD)
SCR Type Sensitive Gate
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type Through Hole
Current - On State (It (AV)) (Max) 220mA
Current - Hold (Ih) (Max) 2mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) 600mV
Series Military, MIL-PRF-19500/276
Packaging Bulk
Operating Temperature -65°C ~ 125°C
Current - On State (It (RMS)) (Max) -
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) -
Current - Gate Trigger (Igt) (Max) 20µA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
JAN2N1016B Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2654
JAN2N1016C Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2542
JAN2N1016D Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2714
JAN2N1171A ST Spezialisierte heiße ICs 2815
JAN2N1172A ST Spezialisierte heiße ICs 2756
JAN2N1173A ST Spezialisierte heiße ICs 2936
JAN2N1174A ST Spezialisierte heiße ICs 2812
JAN2N1175A ST Spezialisierte heiße ICs 2854
JAN2N1176A ST Spezialisierte heiße ICs 2834
JAN2N1177A ST Spezialisierte heiße ICs 2909

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