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MJD44H11T4 Technische Spezifikationen

TRANS NPN 80V 8A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Transistor Type NPN
Power - Max 20W
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 4A, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 8A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 400mA, 8A
Supplier Device Package D-Pak
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MJD44E3-1 MOT Spezialisierte heiße ICs 2764
MJD44E3G ON Spezialisierte heiße ICs 2735
MJD44E3T4 ON Spezialisierte heiße ICs 870
MJD44E3T4 Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren
MJD44E3T4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 13886
MJD44E3T4G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
MJD44E3T4G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 14274
MJD44H11 Original Spezialisierte heiße ICs 1478
MJD44H11 Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren
MJD44H11 MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 3339

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