MPSA56 PBFREE Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer Central Semiconductor Corp
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory Other Transistors
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Power - Max 625mW
Transistor Type PNP
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Transition Frequency 50MHz
Power Dissipation-Max (Abs) 0.625W
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Packaging Bulk
Part Status Active
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Configuration Single
Polarity/Channel Type PNP
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Frequency - Transition 50MHz
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MPSA55 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 64216
MPSA55 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2842
MPSA55 Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren
MPSA55 ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
MPSA55-BP Micro Commercial Co Einzelne BJT-Transistoren
MPSA55G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 5457
MPSA55G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
MPSA55G Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren
MPSA55RLRA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2683
MPSA55RLRA ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren

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